雪崩光电二极管

雪崩光电二极管（APD）是通过施加反向电压产生的具有内部增益的光电二极管。较之于 PIN 光电二极管，它们具有更高的信噪比 、快速响应、低暗电流和高灵敏度的特点。

基于 “雪崩倍增效应”，APD比常规PIN型光电探测器具有更高的灵敏度。当光照射到 APD 的光敏面，光子被半导体材料吸收，产生电子 - 空穴对。在高反向偏压下，这些初始载流子获得足够能量，与晶格原子碰撞，使其电离，产生新的载流子。新载流子继续碰撞，载流子数量雪崩式倍增，进而在外部电路形成大电流信号，实现对微弱光信号的放大。

雪崩光电二极管具有三大性能优势：一是高灵敏度，借助雪崩倍增效应，能检测极微弱的光信号，提升通信系统的可靠性；二是快速响应，雪崩过程迅速、载流子迁移速度快，可快速跟踪光信号变化；三是线性度好，在一定光功率范围内，输出电流与入射光功率呈良好线性关系。

APD 被广泛应用于多个领域。在光纤通信中，检测长距离传输后微弱的光信号；在激光雷达领域，探测反射光信号，测量目标物体距离；在天文学中，捕捉遥远天体的微弱光信号 。