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产品详情
选型
雪崩光电探测器
清空筛选
分组
硅基雪崩光电探测器
铟镓砷雪崩光电探测器
响应波长（nm）
320~1000
850~1650
400~1000
材料类型
Si
InGaAs
3dB带宽
DC-200MHz
DC-500MHz
DC-1GHz
7GHz
上升时间（ns）
1.5
0.55
0.5
响应度（A/W）
0.9@1550nm
0.5@700nm,M=1
0.9@1550nm,M=1
0.5@700nm, M=1
增益（V/W）
0.6×10⁴
9×10⁴
18×10⁴
4.2×10⁴
1.8×10⁴
1.2×10⁴
噪声等效功率NEP（pw/√Hz）
1.5
0.4
65
35
0.8
饱和光功率（µW）
800
10
30
300
100
400
1000
工作电压（V）
DC±15
±12
灵敏度（dBm）
-39
-42
-32
-35
-30
-33
-26（T=25℃）/-25（T=75℃）
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分组
硅基雪崩光电探测器
铟镓砷雪崩光电探测器
暂无数据
响应波长（nm）
320~1000
850~1650
400~1000
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材料类型
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InGaAs
暂无数据
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0.9@1550nm
0.5@700nm,M=1
0.9@1550nm,M=1
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增益（V/W）
0.6×10⁴
9×10⁴
18×10⁴
4.2×10⁴
1.8×10⁴
1.2×10⁴
暂无数据
噪声等效功率NEP（pw/√Hz）
1.5
0.4
65
35
0.8
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饱和光功率（µW）
800
10
30
300
100
400
1000
暂无数据
工作电压（V）
DC±15
±12
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灵敏度（dBm）
-39
-42
-32
-35
-30
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